5. Выращивание

На технологическом этапе выращивания происходит процесс получения моно- и поли- кристаллического германия с определенными электрофизическими и оптическими параметрами, а так же германия в гранулах.

Выращивание кристаллов германия осуществляется в печах американского и российского   производства с использованием метода Чохральского и метода горизонтальной направленной кристаллизации, который является собственной разработкой предприятия. Оборудование оснащено автоматизированными системами контроля за диаметром слитка и другими характеристиками процесса.

Для получения кристаллов германия с заданными электрофизическими и оптическими параметрами исходный материал (германий поликристаллический зонноочищенный) компонуется с добавлением легирующей примеси, очищается от загрязнений и окисной пленки посредством химического травления и загружается в печь. Процесс выращивания ведется из расплава германия в атмосфере аргона на монокристаллическую затравку.

Применяемые технологии позволяют получать германий не только для оптических применений, но и монокристаллический германий специального назначения: легированный галлием, для полупроводниковых детекторов, светоизлучающих диодов, для электроники и солнечной энергетики. 

Метод горизонтальной направленной кристаллизации был разработан и внедрен сотрудниками предприятия в 2005 году и позволяет получать крупногабаритные прямоугольные пластины из германия поликристаллического оптического качества. Данная технология характеризуется высокой производительностью и небольшим расходом исходного материала.